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H系列管芯產(chǎn)品

產(chǎn)品型號(hào)	單指柵寬 (μm)	總柵寬 (mm)	尺寸X (μm)	尺寸Y (μm)	典型功率 (W)	效率@2.6GHz 48V (%)	增益@2.6GHz 48V (dB)
D2H620DE1	1000	80.00	1445	5870	620	75	18.3
D2H500DE1	780	62.40	1225	5900	500	72	18.4
D2H400DE1	620	49.60	1065	5900	400	73	19.2
D2H320DB1	410	39.36	915	6075	320	76	20.1
D2H320DE1	490	39.20	935	5870	320	76	19.3
D2H290DE1	440	35.20	955	5795	290	77	20.2
D2H235DE1	390	28.08	835	5440	135	79	20.3
D2H210DE1	410	24.60	855	4860	210	80	20.5
D2H185DE1	390	21.84	905	4125	185	80	20.0
D2H150DE1	350	16.80	795	3410	150	80	20.4
D2H135DE1	335	14.74	975	4165	135	80	21.0
D2H120DE1	355	12.78	860	2710	120	81	20.8
D2H095DE1	310	9.92	785	2685	95	81	21.0
D2H065DE1	350	6.30	880	2000	65	82	21.5
D2H065DB1	230	6.44	845	1995	65	82	21.8
D2H055DB1	225	5.40	785	1755	55	82	22.0
D2H046DA1	340	4.76	880	1640	46	82	21.3
D2H042DB1	210	4.20	785	1515	42	82	22.7
D2H039DB1	215	3.87	785	1395	39	82	22.7
D2H039DA1	335	4.02	845	1092	39	82	22.1

注：
1. 效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)。

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D2H620DE1

Brief description for the product

數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H620DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	1445*5870	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	620	W
效率	75	%
增益	18.3	Db

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 2400 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H500DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H500DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	1225*5900	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	500	W
效率	72	%
增益	18.4	Db

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1872 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H400DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H400DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	1065*5900	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	400	W
效率	73	%
增益	19.2	Db

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1488 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H320DB1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H320DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	915*6075	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	320	W
效率	76	%
增益	20.1	Db

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1180 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H320DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H320DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	935*5870	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	320	W
效率	76	%
增益	19.3	Db

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1176 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H290DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H290DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	955*5795	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	290	W
效率	77	%
增益	20.2	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1056 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H235DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H235DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	835*5440	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	235	W
效率	79	%
增益	20.3	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 842 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H210DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H210DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	855*4860	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	210	W
效率	80	%
增益	20.5	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 738 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H185DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H185DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	905*4125	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	185	W
效率	80	%
增益	20.0	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 655 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H150DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H150DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	795*3410	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	150	W
效率	80	%
增益	20.4	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 504 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H135DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H135DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	975*4165	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	135	W
效率	80	%
增益	21.0	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 442 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H120DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H120DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	860*2710	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	120	W
效率	81	%
增益	20.8	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 383 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H095DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H095DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	785*2685	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	95	W
效率	81	%
增益	21.0	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 297 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H065DE1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H065DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	880*2000	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	65	W
效率	82	%
增益	21.5	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 189 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H065DB1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H065DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	845*1995	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	65	W
效率	82	%
增益	21.8	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 193 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H055DB1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H055DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	785*1755	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	55	W
效率	82	%
增益	22.0	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 162 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H046DA1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H046DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	880*1640	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	46	W
效率	82	%
增益	21.3	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 143 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H042DB1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H042DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	785*1515	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	42	W
效率	82	%
增益	22.7	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 126 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H039DB1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H039DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	785*1395	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	39	W
效率	82	%
增益	22.7	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 116 mA, 頻率 = 2.6 GHz

D2H039DA1

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數(shù)據(jù)手冊(cè)
應(yīng)用手冊(cè)

D2H039DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)	值	單位
產(chǎn)品尺寸	845*1092	mm
應(yīng)用電壓	48	V
典型功率	39	W
效率	82	%
增益	22.1	dB

效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 頻率 = 2.6 GHz