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J系列管芯產品

產品型號	單指柵寬 (μm)	總柵寬 (mm)	尺寸X (μm)	尺寸Y (μm)	典型性能@6GHz 48V (W)	效率@6GHz 48V (%)	增益@6GHz 48V (dB)	典型性能@10GHz 28V (W)	效率@10GHz 28V (%)	增益@10GHz 28V (dB)
D2J080DH2	220	8.80	725	2985	80	73	20.6	44	59	15.5
D2J325DB2	440	42.24	945	6075	325	61	17.3	180	45	9.8
D2J185DE2	415	23.24	920	4250	185	67	18.1	100	52	12.1
D2J160DH2	295	18.88	800	4390	160	69	19.6	90	54	13.8
D2J140DE2	345	16.56	850	3770	140	70	18.4	75	55	13.0
D2J090DE2	285	10.26	790	2835	90	73	18.9	50	58	13.7
D2J070DH2	210	7.56	655	2725	70	73	20.5	38	60	15.5

注：
1.?效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；
2.?效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據。

D2J080DH2

Brief description for the product

數據手冊
應用手冊

D2J080DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數	值	單位
產品尺寸	725*2985	mm
典型功率 @6GHz 48V	80	W
效率 @6GHz 48V	73	%
增益 @6GHz 48V	20.6	dB
典型功率 @10GHz 28V	44	W
效率 @10GHz 28V	59	%
增益 @10GHz 28V	15.5	dB

1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 264 mA, 頻率 = 6 GHz

2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據

仿真測試條件：V_DD = 28 V, I_DQ = 264 mA, 頻率 = 10 GHz

D2J325DB2

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數據手冊
應用手冊

D2J325DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數	值	單位
產品尺寸	945*6075	mm
典型功率 @6GHz 48V	325	W
效率 @6GHz 48V	61	%
增益 @6GHz 48V	17.3	dB
典型功率 @10GHz 28V	180	W
效率 @10GHz 28V	45	%
增益 @10GHz 28V	9.8	dB

1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1267 mA, 頻率 = 6 GHz

2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據

仿真測試條件：V_DD = 28 V, I_DQ = 1267 mA, 頻率 = 10 GHz

D2J185DE2

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數據手冊
應用手冊

D2J185DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數	值	單位
產品尺寸	920*4250	mm
典型功率 @6GHz 48V	185	W
效率 @6GHz 48V	67	%
增益 @6GHz 48V	18.1	dB
典型功率 @10GHz 28V	100	W
效率 @10GHz 28V	52	%
增益 @10GHz 28V	12.1	dB

1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 697 mA, 頻率 = 6 GHz

2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據

仿真測試條件：V_DD = 28 V, I_DQ = 697 mA, 頻率 = 10 GHz

D2J160DH2

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數據手冊
應用手冊

D2J0160DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數	值	單位
產品尺寸	800*4390	mm
典型功率 @6GHz 48V	160	W
效率 @6GHz 48V	69	%
增益 @6GHz 48V	19.6	dB
典型功率 @10GHz 28V	90	W
效率 @10GHz 28V	54	%
增益 @10GHz 28V	13.8	dB

1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ = 308 mA, 頻率 = 6 GHz

2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據

仿真測試條件：V_DD = 28 V, I_DQ = 308 mA, 頻率 = 10 GHz

D2J140DE2

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數據手冊
應用手冊

D2J140DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數	值	單位
產品尺寸	850*3770	mm
典型功率 @6GHz 48V	140	W
效率 @6GHz 48V	70	%
增益 @6GHz 48V	18.4	dB
典型功率 @10GHz 28V	75	W
效率 @10GHz 28V	55	%
增益 @10GHz 28V	13.0	dB

1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ =497 mA, 頻率 = 6 GHz

2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據

仿真測試條件：V_DD = 28 V, I_DQ = 497 mA, 頻率 = 10 GHz

D2J090DE2

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數據手冊
應用手冊

D2J090DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數	值	單位
產品尺寸	790*2835	mm
典型功率 @6GHz 48V	90	W
效率 @6GHz 48V	73	%
增益 @6GHz 48V	18.9	dB
典型功率 @10GHz 28V	50	W
效率 @10GHz 28V	58	%
增益 @10GHz 28V	13.7	dB

1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ =308 mA, 頻率 = 6 GHz

2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據

仿真測試條件：V_DD = 28 V, I_DQ = 308 mA, 頻率 = 10 GHz

D2J070DH2

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數據手冊
應用手冊

D2J070DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數	值	單位
產品尺寸	655*2725	mm
典型功率 @6GHz 48V	70	W
效率 @6GHz 48V	73	%
增益 @6GHz 48V	20.5	dB
典型功率 @10GHz 28V	38	W
效率 @10GHz 28V	60	%
增益 @10GHz 28V	15.5	dB

1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數據；

仿真測試條件：V_DD = 48 V, I_DQ =227 mA, 頻率 = 6 GHz

2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數據

仿真測試條件：V_DD = 28 V, I_DQ = 227 mA, 頻率 = 10 GHz